Silizium

Derzeit werden unterschiedliche Technologien/Halbleitermaterialien, wie amorphes Silizium, polykristallines Silizium, mikrokristallines Silizium, Cadmiumtellurid, Kupfer-Indium-Selenid/-Sulfid, getestet oder bereits in Serienproduktion hergestellt.

Currently there are different technologies/semiconductor materials under investigation or in mass production, such as amorphous silicon, poly-crystalline silicon, micro-crystalline silicon, cadmium telluride, copper indium selenide/sulfide.

VERSPANNTES SILIZIUM AUF ISOLATOR DURCH ANODISIERUNG EINER VERGRABENEN P+-SILIZIUM-GERMANIUM-SCHICHT

STRAINED SILICON-ON-INSULATOR BY ANODIZATION OF A BURIED p+ SILICON GERMANIUM LAYER

VERRIEGELUNGSBÜHNE FÜR EIN SILIZIUM-WAFER-SUBSTRAT UND TEMPERATURMESSVERFAHREN FÜR EIN SILIZIUM-WAFER-SUBSTRAT

SILICON WAFER SUBSTRATE LOCKING STAGE AND SILICON WAFER SUBSTRATE TEMPERATURE MEASURING METHOD

In vorteilhafter Weise wird als Primärmaterial einkristallines Silizium und als Sekundärmaterial polykristallines Silizium vorgesehen.

Monocrystalline silicon is advantageously provided as the primary material and polycrystalline silicon is provided as the secondary material.

Im Rahmen der Infiltrierung des flüssigen Siliziums kann das flüssige Silizium über die kohlenstoff-faserverstärkte Bauteilkomponente zugeführt werden.

With respect to the infiltration with liquid silicon, the liquid silicon can be supplied via the carbon fiber-reinforced structural component.

Von Silizium ist bisher nur bekannt, dass es Schädigungen der Atemwege verursachen kann. Außerdem kann Silizium Atmungsprobleme und Atemwegsreitzungen hervorbringen.

Of silicon has been known only that it can cause damage to the respiratory tract. In addition, silicon can produce breathing problems and respiratory irritation,.

Im Falle eines Silizium-Siliziumoxid-Systems kann zum Siliziumätzen KOH verwendet werden, das Siliziumoxid nicht angreift. Zum Entfernen der Isolatorschicht kann dagegen Flußsäure verwendet werden, welche Silizium nicht angreift.

[0034] In the case of a silicon/silicon-oxide system, KOH, which does not attack silicon oxide, can be used for etching silicon, whereas hydrofluoric acid, which does not attack silicon, can be used for removing the insulating layer.

Die großflächige bewegliche Masse 601, die aus monokristallinem Silizium der monokristallinen Silizium-Epitaxieschicht 401 besteht, kann aus dieser durch bekannte Trockenätztechniken, wie insbesondere durch Trenchätzen, erzeugt werden.

[0061] Large-area mobile mass , which is made of monocrystalline silicon of epitaxial monocrystalline silicon layer , may be created from it by known dry etching techniques, in particular by trench etching.