die Emitterzone

Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 3 oder 4, bei welchem das Halbleiter-Bauelement ein bipolarer Flächentransistor mit einer Kollektor-Zone (28), einer Basis-Zone und einer Emitterzone (27) ist.

Dispositif à semiconducteur selon la revendication 3 ou 4, où le dispositif à semiconducteur est un transistor à jonction bipolaire possédant une région de collecteur (28), une région de base et une région d'émetteur (27).